Menu Close
%title缩略图

双极晶体管和场效应管要点回顾(一)

改变栅极电压将改变沟道的电导率,从而改变电流IDS。同样,改变衬底电压也会改变沟道的电导率,从而改变电流IDS。顶部的栅极控制MOST运作,而衬底控制寄生JFET(寄生的场效应管)运作,而且结型场效应晶体管的电流由结电容控制。

%title缩略图

双极晶体管和场效应管要点回顾(五)

实际上,KP由氧化物电容Cox和迁移率µ(电子或空穴的移动速度)共同决定,KP的单位是cm2/Vs,如图5。 其中迁移率µ是载流子在电场(V/cm)中可以达到的速度(cm/s),电子的运行速度大约是空穴的两倍。

%title缩略图

集成电路数字版图设计技巧(中)

硅片上产生出来的图形尺寸不会与版图数据的尺寸完全的一致,因为在光刻、刻蚀、扩散和离子注入的过程中图形会收缩或扩张;图形的绘制宽度与实际宽度之差构成了工艺的误差,所以版图的设计者必须采取措施确保所设计的器件对工艺不敏感,因此需要匹配。

%title缩略图

半导体器件模型(下)

下图显示了两个反相器级以及由此产生的电路输入-输出的电压-时间图。从数字系统的角度来看,感兴趣的关键参数是:时序延迟、开关功率、漏电流和与其他模块的交叉耦合(串扰)。电压电平和转换速度也值得关注。

%title缩略图

半导体器件模型(上)

半导体器件建模基于基本物理学(例如器件的掺杂分布)为电气器件的行为创建模型。 它还可能包括创建紧凑模型(例如众所周知的 SPICE 晶体管模型),这些模型试图捕捉此类器件的电气行为,但通常不会从基础物理中推导出它们

%title缩略图

模拟集成电路设计流程

芯片的主要类型:感知 Sensing 模拟/数字,传递 Transmit/Receive 模拟/混合,思考 computing 数字/混合,记忆存储 Memory 数字,供能 Power Management 模拟

%title缩略图

模拟集成电路器件模型

器件模型是基于理论和实验研究而开发的解析表达式。 组成此表达式的变量和常量是模型参数。 换句话说,器件参数用于在模拟仿真器上重现实际的元器件特征。

%title缩略图

集成电路设计规则

设计规则集指定了某些几何尺寸和连接性限制,以确保有足够的余量来容纳半导体制造过程中的工艺波动,从而确保大多数元器件都能正常工作;最基本的设计规则包括宽度、间距、延申、重叠、包含等

%title缩略图

CMOS模拟集成电路设计课程介绍

共有24节教程,每节包含3到6个知识点,由浅入深分别以运算放大器,带隙基准电路和锁相环为案例,详细介绍对应模块的理论知识,基本概念和基本原理,公式推导和相关参数指标的物理意义,以及工艺波动对其的影响;