主讲老师:Hudson、Tim Zhuang
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电容比率n−1约为0.2。n值多数情况下在1.2到1.5之间,这取决于tsi的值。因此,参数n随ts…
因此所有的场效应管(Metal Oxide Semiconductor Transistor, MO…
改变栅极电压将改变沟道的电导率,从而改变电流IDS。同样,改变衬底电压也会改变沟道的电导率,从而改变…
实际上,KP由氧化物电容Cox和迁移率µ(电子或空穴的移动速度)共同决定,KP的单位是cm2/Vs,…
使用简单模型进行设计是模拟集成电路设计过程中的第一步。它们的目标是,根据目标电路的要求来确定所有晶体…
匹配的一般规则,把匹配器件相互靠近放置;使器件保持同一个方向;选择一个中间值作为你的根器件;采用指状…